一種晶圓邊緣芯片平坦化方法,其特征在于,包括步驟:提供待研磨晶圓,待研磨晶圓上分布若干待研磨芯片;將待研磨晶圓吸附于研磨頭下,研磨頭具有邊緣區域和中心區域,研磨頭的邊緣區域內的下壓力作用于待研磨晶圓的邊緣區域,研磨頭的中心區域內的下壓力作用于待研磨晶圓的中心區域;將吸附有待研磨晶圓的研磨頭移至研磨墊上;設置研磨頭的邊緣區域內的下壓力為4.5-6.0psi,研磨頭的中心區域內的下壓力為3.5-4.5psi,轉臺的轉速為100-150rpm,將待研磨芯片的厚度從初始值研磨至一設定值;以及設置研磨頭的邊緣區域內的下壓力為0.8-1.5psi,研磨頭的中心區域內的下壓力為0.7-1.2psi,轉臺的轉速為100-150rpm,將待研磨芯片的厚度從一設定值研磨至目標值。
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