AIN UVB UVC WAFER晶圓外延片高壽高光效PW牌
外延是半導體工藝當中的一種。在bipolar工藝中,硅片底層是P型襯底硅(有的加點埋層);然后在襯底上生長一層單晶硅,這層單晶硅稱為外延層;再后來在外延層上注入基區、發射區等等。然后基本形成縱向NPN管結構:外延層在其中是集電區,外延上面有基區和發射區。外延片就是在襯底上做好外延層的硅片。
型號:PET-02-VA
規格:2INCH, AVE. 3μm THK. XRD ≤ 450 arcsec (102)
產品應用范圍涵蓋:UV殺菌、光療,水處理,汽車尾氣處理等。
干式蝕刻技術 |
在半導體的制程中,蝕刻被用來將某種材質自晶圓表面上移除。干式蝕刻(又稱為電漿蝕刻)是目前**常用的蝕刻方式,其以氣體作為主要的蝕刻媒介,并藉由電漿能量來驅動反應。 |
電漿對蝕刻制程有物理性與化學性兩方面的影響。**先,電漿會將蝕刻氣體分子分解,產生能夠快速蝕去材料的高活性分子。此外,電漿也會把這些化學成份離子化,使其帶有電荷。 |
晶圓系置于帶負電的陰極之上,因此當帶正電荷的離子被陰極吸引并加速向陰極方向前進時,會以垂直角度撞擊到晶圓表面。芯片制造商即是運用此特性來獲得**的垂直蝕刻,而后者也是干式蝕刻的重要角色。 |
基本上,隨著所欲去除的材質與所使用的蝕刻化學物質之不同,蝕刻由下列兩種模式單獨或混會進行: |
1.電漿內部所產生的活性反應離子與自由基在撞擊晶圓表面后,將與某特定成份之表面材質起化學反應而使之氣化。如此即可將表面材質移出晶圓表面,并透過抽氣動作將其排出。 |
2.電漿離子可因加速而具有足夠的動能來扯斷薄膜的化學鍵,進而將晶圓表面材質分子一個個的打擊或濺擊( sputtering)出來。 |
化學氣相沉積技術 |
化學氣相沉積是制造微電子組件時,被用來沉積出某種薄膜(film)的技術,所沉積出的薄膜可能是介電材料(絕緣體)(dielectrics)、導體、或半導體。在進行化學氣相沉積制程時,包含有被沉積材料之原子的氣體,會被導入受到嚴密控制的制程反應室內。當這些原子在受熱的昌圓表面上起化學反應時,會在晶圓表面產生一層固態薄膜。而此一化學反應通常必須使用單一或多種能量源(例如熱能或無線電頻率功率)。 |
CVD制程產生的薄膜厚度從0.5微米到數微米都有,不過**重要的是其厚度都必須足夠均勻。較為常見的CVD薄膜包括有: |
二氣化硅(通常直接稱為氧化層> |
氮化硅 |
我公司的主力產品有: 紫外UVALED,UVCLED, UVCHIP,UVB芯片,韓國PW芯片,UVACHIP,wafer晶圓,外延片, AIN, TES MOCVD,AlGaN, 外延爐,第三 代半導體,LD激光二極管等 |
3535 265nm 275nm 295nm 310nm 365nm 385nm 395nm 405nm 燈珠 CHIP |
4545 265nm 275nm 295nm 310nm 365nm 385nm 395nm 405nm 燈珠 CHIP等等 |
4747 365nm 385nm 395nm 405nm 燈珠 |
7070 365nm 385nm 395nm 405nm 燈珠等等 |
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