碳化硅（SiC）緣何成為第三代半導體**重要的材料？

在MOCVD反應設備的外延工藝中，襯底晶片由轉動的石墨盤基座或載盤進行支撐，石墨盤基座的材料性能具有關鍵影響，進而也影響著廢品率。

弘竣新材料采用德國SGL高純度等靜壓石墨，為石墨盤基座和載盤精心挑選合適的石墨等級，高精密度的加工確保載盤坑內具有均勻是的形貌和**小的平整度偏差，**產品的質量?？梢罁蛻舨煌男枨笠幐窦庸ざㄖ?。