廣電計(jì)量可以做AEC-Q-100認(rèn)證報(bào)告,AEC-Q-101認(rèn)證報(bào)告,AEC-Q-102認(rèn)證報(bào)告, AEC-Q-104認(rèn)證報(bào)告，AEC-Q-200認(rèn)證報(bào)告，元器件篩選，破壞性物理分析，NVH測試

廣州廣電計(jì)量檢測股份有限公司(股票簡稱:廣電計(jì)量,股票代碼:002967)始建于1964年,是原信息產(chǎn)業(yè)部電子602計(jì)量站,經(jīng)過50余年的發(fā)展,現(xiàn)已成為一家全國化、綜合性的國有第三方計(jì)量檢測機(jī)構(gòu),專注于為客戶提供計(jì)量、檢測、認(rèn)證以及技術(shù)咨詢與培訓(xùn)等專業(yè)技術(shù)服務(wù),在計(jì)量校準(zhǔn)、可靠性與環(huán)境試驗(yàn)、電磁兼容檢測等多個(gè)領(lǐng)域的技術(shù)能力及業(yè)務(wù)規(guī)模處于國內(nèi)**水平.

1、聚焦離子束技術(shù)（FIB）

聚焦離子束技術(shù)（Focused Ion beam，FIB）是利用電透鏡將離子束聚焦成非常小尺寸的離子束轟擊材料表面，實(shí)現(xiàn)材料的剝離、沉積、注入、切割和改性。隨著納米科技的發(fā)展，納米尺度制造業(yè)發(fā)展迅速，而納米加工就是納米制造業(yè)的核心部分，納米加工的代表性方法就是聚焦離子束。近年來發(fā)展起來的聚焦離子束技術(shù)（FIB）利用高強(qiáng)度聚焦離子束對(duì)材料進(jìn)行納米加工，配合掃描電鏡（SEM）等高倍數(shù)電子顯微鏡實(shí)時(shí)觀察，成為了納米級(jí)分析、制造的主要方法。目前已廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體集成電路修改、離子注入、切割和故障分析等

2. 聚焦離子束技術(shù)（FIB）可為客戶解決的產(chǎn)品質(zhì)量問題

（1）在IC生產(chǎn)工藝中，發(fā)現(xiàn)微區(qū)電路蝕刻有錯(cuò)誤，可利用FIB的切割，斷開原來的電路，再使用定區(qū)域噴金，搭接到其他電路上，實(shí)現(xiàn)電路修改，**精度可達(dá)5nm。

（2）產(chǎn)品表面存在微納米級(jí)缺陷，如異物、腐蝕、氧化等問題，需觀察缺陷與基材的界面情況，利用FIB就可以準(zhǔn)確定位切割，制備缺陷位置截面樣品，再利用SEM觀察界面情況。

（3）微米級(jí)尺寸的樣品，經(jīng)過表面處理形成薄膜，需要觀察薄膜的結(jié)構(gòu)、與基材的結(jié)合程度，可利用FIB切割制樣，再使用SEM觀察。

3. 聚焦離子束技術(shù)（FIB）注意事項(xiàng)

（1）樣品大小5×5×1cm，當(dāng)樣品過大需切割取樣。

（2）樣品需導(dǎo)電，不導(dǎo)電樣品必須能噴金增加導(dǎo)電性。

（3）切割深度必須小于50微米。